Micro LED Breakthrough, la puissance du réseau lance l'épitaxie triple couleur à base de substrat silicium InGaN

Récemment, Lattice Power a publié les résultats de la série rouge, verte et bleue basée sur InGaN de trois couleurs primaires Technologie épitaxiale Micro LED sur un substrat de silicium de 12 pouces.

Affichage de puissance en treillis de 12 pouces substrat de silicium rouge, vert et bleu lumière InGaN à base de gaufrette épitaxiale LED à contrôle rapide Effet d'illumination EL

Il est rapporté que Lattice Power a été fondée en 2006 et est un fournisseur de produits optoélectroniques IDM semi-conducteurs à chaîne complète avec une technologie de base de puce sous-jacente. Il fournit des produits et des solutions de source lumineuse à LED (épitaxial, puce, emballage et module) de haute qualité et des capteurs de détection aux clients mondiaux.

Basé sur près de 20 ans de technologie LED à base de substrat de silicium GaN et d'accumulation industrielle, Crystal Energy Optoelectronics a lancé la technologie épitaxiale de lumière rouge InGaN à substrat de silicium de 8 pouces dès 2020. Actuellement, il recherche et développe toujours en permanence pour améliorer l'efficacité de la lumière rouge InGaN.
En septembre 2021, Crystal Energy Optoelectronics a préparé avec succès un substrat de silicium InGaN réseau de micro LED rouge, vert et bleu avec un espacement de pixels de 25 microns et une densité de pixels de 1000PPI. À l'heure actuelle, l'indicateur technique important de l'espacement des pixels a été réduit à 8 micromètres.

En 2022, Crystal Energy Optoelectronics a franchi la technologie clé de l'épitaxie à micro LED tricolore basée sur InGaN sur des substrats de silicium de 8 pouces et préparé avec succès des matrices tricolores Micro LED à pas de 5 microns, en expansion active dans les marchés émergents.

Lattice Power a déclaré que, en raison du coût et du rendement, la mise à niveau vers des plaquettes de grande taille est devenue une tendance de développement définitive dans l'industrialisation de Micro LED, ce qui est également en ligne avec la poursuite continue de l'innovation de la société dans le domaine de la technologie LED basée sur GaN sur des substrats de silicium. Les plaquettes de grande taille peuvent non seulement améliorer considérablement le taux d'utilisation des plaquettes épitaxiales Micro LED et des backplanes CMOS, mais facilitent également la compatibilité avec les dispositifs et processus en silicium mature, améliorent l'efficacité du processus Micro LED, réduire les coûts et accélérer le processus commercial de la technologie Micro LED.

Selon le Dr Fu Yi, vice-président de Lattice Power, la croissance épitaxiale de Micro LED sur des substrats de silicium de grande taille pose des défis plus stricts pour le développement de technologies clés telles que la qualité des cristaux GaN, gauchissement épitaxial, efficacité quantique externe, cohérence photoélectrique et MQW rouge InGaN.
La libération de l'industrialisation et de la technologie épitaxiale d'InGaN à base rouge, verte, et des micro LED bleues sur un substrat de silicium de 12 pouces indiquent que Jingneng Optoelectronics a tiré parti de ses capacités innovantes et itératives dans la technologie LED basée sur le substrat de silicium GaN, et a préalablement surmonté les principaux défis techniques mentionnés ci-dessus, Ouvrant la voie à l'optimisation et à l'amélioration des technologies et des processus ultérieurs.

Lattice Power a en outre déclaré que le lancement de Vision Pro par Apple cette année a apporté une plus grande popularité à l'industrie mondiale AR/VR, mais Vision Pro ne sera pas le point final. Les attentes des gens en matière de technologie d'affichage portable légère et efficace deviennent de plus en plus enthousiastes, ce qui favorisera grandement l'innovation et l'application de diverses technologies de micro-affichage.

La voie de processus Micro LED basée sur des substrats de silicium de grande taille a un grand potentiel en termes de coût, de rendement et d'efficacité lumineuse, et devrait devenir la voie d'industrialisation courante des Micro LED de niveau micrométrique. La percée dans la technologie épitaxiale Micro LED de trois couleurs primaires de substrats en silicium de 12 pouces favorisera efficacement le développement de la technologie d'affichage Micro LED dans cette direction.